CXMT начала массовый выпуск памяти DRAM пятого поколения

Анонс состоялся на Всемирной конференции производителей в Хэфэе. По заявлению компании, новая технологическая платформа позволила уменьшить расстояние между ключевыми элементами массива ячеек до 11,95 нм с применением технологии четырехкратного формирования рисунка SAQP.

Одновременно производитель представил две микросхемы памяти LPDDR5X емкостью 24 Гбит на кристалл, ориентированные на смартфоны и портативную электронику. По данным CXMT, они вмещают на 50% больше данных по сравнению с аналогичными решениями предыдущего поколения компании и уже производятся серийно.

В компании отметили, что показатель потенциального количества чипов на одной кремниевой пластине до отбраковки брака вырос как минимум на 50% по сравнению с четвертым поколением платформы. В разработке G5 применялось моделирование с использованием цифровых двойников производственной линии.